MOSFET စက်ပစ္စည်း ရွေးချယ်မှု အဓိက စည်းမျဉ်း 3 ခု

N-type သို့မဟုတ် P-type၊ ပက်ကေ့ခ်ျအမျိုးအစား၊ ကြီးမားသော MOSFET ဗို့အား၊ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု စသည်ဖြင့်၊ ကွဲပြားသော လျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များ ကွဲပြားစေရန် အချက်များအားလုံး၏ ရှုထောင့်အားလုံးကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် MOSFET စက်ပစ္စည်းရွေးချယ်မှု။အောက်ဖော်ပြပါဆောင်းပါးသည် အဓိကစည်းမျဉ်း 3 ခု၏ MOSFET စက်ပစ္စည်းရွေးချယ်မှုကို အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြထားသည်၊၊ ဖတ်ပြီးသည်နှင့် သင့်အတွက် များစွာအကျိုးရှိမည်ဟု ကျွန်ုပ်ယုံကြည်ပါသည်။

1. ပါဝါ MOSFET ရွေးချယ်မှု အဆင့်တစ်- P-tube၊ သို့မဟုတ် N-tube?

ပါဝါ MOSFET အမျိုးအစား နှစ်မျိုးရှိပါသည်- N-channel နှင့် P-channel၊ N-tube သို့မဟုတ် P-tube ကို ရွေးချယ်ရန် စနစ်ဒီဇိုင်း လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ ရွေးချယ်ရန် တိကျသော အမှန်တကယ် အပလီကေးရှင်းမှ N-channel MOSFETs မော်ဒယ်ကို ရွေးချယ်ရန်၊ ကုန်ကျစရိတ်နည်းသော;မော်ဒယ်ကို ရွေးချယ်ရန် P-channel MOSFETs များသည် ကုန်ကျစရိတ် သက်သာပါသည်။

ပါဝါ MOSFET ၏ S-pole ချိတ်ဆက်မှုတွင် ဗို့အားသည် စနစ်၏ရည်ညွှန်းမြေပြင်မဟုတ်ပါက၊ N-channel သည် floating ground power supply drive၊ transformer drive သို့မဟုတ် bootstrap drive၊ drive circuit complex လိုအပ်ပါသည်။P-channel ကို တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်နိုင်ပြီး ရိုးရိုးရှင်းရှင်း မောင်းနှင်နိုင်သည်။

N-channel နှင့် P-channel applications များကို အဓိကအားဖြင့် စဉ်းစားရန် လိုအပ်ပါသည်။

aCPU နှင့် system cooling fan ၊ printer feeding system motor drive ၊ vacuum cleaners ၊ air purifiers ၊ လျှပ်စစ်ပန်ကာ နှင့် အခြား အိမ်သုံးပစ္စည်းများ မော်တာထိန်းချုပ် circuit များကို ပေးဆောင်ရန် အသုံးပြုသော ဆာဗာများ၊ ဤစနစ်များသည် full-bridge circuit တည်ဆောက်ပုံ၊ bridge arm တစ်ခုစီကို အသုံးပြုပါသည်။ tube ပေါ်တွင် P-tube ကိုသုံးနိုင်ပြီး N-tube ကိုသုံးနိုင်သည်။

ခဆက်သွယ်ရေးစနစ် 48V input စနစ်သည် hot-plug MOSFETs ၏အမြင့်ဆုံးတွင်ထားရှိသည့် P-tubes ကိုသုံးနိုင်ပြီး N-tubes ကိုလည်းသုံးနိုင်သည်။

ဂ။Notebook ကွန်ပြူတာ အဝင်ပတ်လမ်း စီးရီးတွင်၊ anti-reverse connection ၏ အခန်းကဏ္ဍကို ကစားပြီး load switching two back-to-back power MOSFETs၊ N-channel ကို အသုံးပြုခြင်းသည် ချစ်ပ်အတွင်းပိုင်း ပေါင်းစပ်ထားသော drive အားသွင်းပန့်ကို ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်ပြီး၊ P-channel အသုံးပြုမှု၊ တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်နိုင်သည်။

2. ပက်ကေ့ခ်ျအမျိုးအစားကို ရွေးချယ်ခြင်း။

ပါဝါ MOSFET ချန်နယ်အမျိုးအစားကို ဆုံးဖြတ်ရန် ဒုတိယအဆင့်တွင် အထုပ်ကို ဆုံးဖြတ်ရန် ပက်ကေ့ချ်ရွေးချယ်မှုဆိုင်ရာ အခြေခံမူများဖြစ်သည်။

aထုပ်ပိုးရွေးချယ်ရာတွင် အပူချိန်မြင့်တက်မှုနှင့် အပူဒီဇိုင်းသည် အခြေခံအကျဆုံးလိုအပ်ချက်များဖြစ်သည်။

မတူညီသော ပက်ကေ့ခ်ျအရွယ်အစားများသည် ကွဲပြားသောအပူခံနိုင်ရည်နှင့် ပါဝါ dissipation ရှိသည်၊၊ လေအေးပေးစက်ရှိမရှိ၊ အပူစုပ်ခွက်ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် အရွယ်အစားကန့်သတ်ချက်များ၊ ပတ်ဝန်းကျင်ပိတ်ထားသည်ရှိမရှိနှင့် အခြားအချက်များကဲ့သို့သော စနစ်၏အပူအခြေအနေနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန်တို့ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားသည့်အပြင်၊ အခြေခံနိယာမမှာ ပါဝါ MOSFET ၏ အပူချိန်မြင့်တက်မှုနှင့် စနစ်ထိရောက်မှု၊ ဘောင်များကို ရွေးချယ်ခြင်းနှင့် ယေဘုယျပါဝါ MOSFET ပိုမိုထုပ်ပိုးခြင်းတို့ကို သေချာစေရန်ဖြစ်သည်။

တစ်ခါတစ်ရံတွင် အခြားသောအခြေအနေများကြောင့်၊ PFC အက်ပလီကေးရှင်းများ၊ လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဥ်မော်တာထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ module power supply secondary synchronous rectification applications များကဲ့သို့သောအပူအငွေ့ပျံခြင်းပြဿနာကိုဖြေရှင်းရန်အတွက် MOSFET အများအပြားကို အပြိုင်အသုံးပြုရန်လိုအပ်ကြောင်း၊ ပြွန်မျိုးစုံနှင့်အပြိုင်။

Multi-tube parallel connection ကို အသုံးမပြုနိုင်ပါက၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ပါဝါ MOSFET ကို ရွေးချယ်ခြင်းအပြင်၊ ထို့အပြင် ပိုကြီးသော အရွယ်အစား ပက်ကေ့ဂျ် သို့မဟုတ် ပက်ကေ့ဂျ် အမျိုးအစားသစ်ကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်၊ ဥပမာ၊ အချို့သော AC/DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုတွင် TO220 ပါလိမ့်မည်၊ TO247 ပက်ကေ့ချ်သို့ ပြောင်းပါ။ဆက်သွယ်ရေးစနစ်ပါဝါထောက်ပံ့မှုအချို့တွင် DFN8*8 ပက်ကေ့ခ်ျအသစ်ကို အသုံးပြုထားသည်။

ခစနစ်၏အရွယ်အစားကန့်သတ်ချက်

အချို့သောအီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များသည် PCB ၏အရွယ်အစားနှင့်အတွင်းပိုင်း၏အမြင့်ကိုကန့်သတ်ထားသောကြောင့်ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ၏ module ပါဝါထောက်ပံ့မှုကဲ့သို့သောကန့်သတ်ချက်များ၏အမြင့်ကြောင့် DFN5 * 6, DFN3 * 3 အထုပ်ကိုအသုံးပြုသည်;အချို့သော ACDC ပါဝါထောက်ပံ့မှုတွင်၊ အလွန်ပါးလွှာသောဒီဇိုင်းကိုအသုံးပြုခြင်း သို့မဟုတ် shell ၏ကန့်သတ်ချက်များကြောင့်၊ တပ်ဆင်မှု TO220 အထုပ်ပါဝါ MOSFET တံများကို root သို့တိုက်ရိုက်၊ ကန့်သတ်ချက်များ၏အမြင့် TO247 အထုပ်ကိုအသုံးမပြုနိုင်ပါ။

အလွန်ပါးလွှာသော ဒီဇိုင်းအချို့သည် ကိရိယာတံများကို ပြားချပ်ချပ်ဖြစ်စေကာ တိုက်ရိုက်ကွေးသွားကာ၊ ဤဒီဇိုင်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် ရှုပ်ထွေးလာမည်ဖြစ်သည်။

ကြီးမားသောစွမ်းရည်ရှိသော လီသီယမ်ဘက်ထရီကာကွယ်ရေးဘုတ်အဖွဲ့၏ ဒီဇိုင်းတွင်၊ အလွန်ပြင်းထန်သောအရွယ်အစားကန့်သတ်ချက်များကြောင့်၊ ယခုအခါ အများစုသည် အပူစွမ်းဆောင်ရည်ကို တတ်နိုင်သမျှမြှင့်တင်ရန် chip-level CSP ပက်ကေ့ဂျ်ကို အသုံးပြုထားပြီး အသေးဆုံးအရွယ်အစားကို သေချာစေသည်။

ဂ။ကုန်ကျစရိတ်ထိန်းချုပ်မှု

ပလပ်အင်ပက်ကေ့ခ်ျကိုအသုံးပြုသည့် အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များစွာ အစောပိုင်းတွင် အလုပ်သမားစရိတ်များ တိုးမြင့်လာခြင်းကြောင့် ကုမ္ပဏီအများအပြားသည် SMD ဂဟေဆော်သည့် ပလပ်အင်ထက် SMD ဂဟေကုန်ကျစရိတ် မြင့်မားသော်လည်း SMD ဂဟေဆော်ခြင်း၏ အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်မှု မြင့်မားသော်လည်း၊ ကုန်ကျစရိတ်အားလုံးကို ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သော အကွာအဝေးတွင် ထိန်းချုပ်ထားနိုင်သေးသည်။အလွန်စျေးကြီးသော desktop motherboard နှင့် boards ကဲ့သို့သော အချို့သော application များတွင် DPAK packages များရှိ power MOSFET များကို ဤပက်ကေ့ချ်၏ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသောကြောင့် များသောအားဖြင့် အသုံးပြုကြပါသည်။

ထို့ကြောင့်၊ ပါဝါ MOSFET ပက်ကေ့ဂျ်ရွေးချယ်မှုတွင်၊ အထက်ဖော်ပြပါအချက်များကိုထည့်သွင်း၍ ၎င်းတို့၏ကိုယ်ပိုင်ကုမ္ပဏီစတိုင်နှင့် ထုတ်ကုန်အင်္ဂါရပ်များကို ပေါင်းစပ်ရန်။

3. on-state resistance RDSON ကို ရွေးပါ၊ မှတ်ချက်- လက်ရှိမဟုတ်ပါ

RDSON နှင့် conduction loss သည် တိုက်ရိုက်ဆက်စပ်နေသောကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် အကြိမ်များစွာ RDSON နှင့်သက်ဆိုင်သည်၊ RDSON သေးငယ်လေ၊ ပါဝါ MOSFET conduction ဆုံးရှုံးမှုသည် သေးငယ်လေ၊ ထိရောက်မှုပိုလေလေ၊ အပူချိန်တိုးလေလေ နိမ့်လေလေဖြစ်သည်။

အလားတူ၊ အင်ဂျင်နီယာများသည် ယခင်ပရောဂျက် သို့မဟုတ် ပစ္စည်းစာကြည့်တိုက်ရှိ ရှိပြီးသားအစိတ်အပိုင်းများကို လိုက်နာရန် ဖြစ်နိုင်သမျှ အင်ဂျင်နီယာများသည်၊ စစ်မှန်သောရွေးချယ်ရေးနည်းလမ်း၏ RDSON အတွက် စဉ်းစားစရာများစွာမရှိပါ။ရွေးချယ်ထားသော ပါဝါ MOSFET ၏ အပူချိန် မြင့်တက်လာသောအခါ၊ ကုန်ကျစရိတ် အကြောင်းရင်းများကြောင့် RDSON ပိုကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများသို့ ပြောင်းသွားပါမည်။ပါဝါ MOSFET ၏ အပူချိန် မြင့်လာသောအခါ၊ စနစ်၏ ထိရောက်မှု နည်းပါးသည်၊၊ သေးငယ်သော RDSON အစိတ်အပိုင်းများ သို့ ပြောင်းမည်၊ သို့မဟုတ် ပြင်ပ drive circuit ကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့်၊ အပူ dissipation ကို ချိန်ညှိရန် နည်းလမ်းကို တိုးတက်စေသည် ။

၎င်းသည် အသစ်စက်စက် ပရောဂျက်ဖြစ်ပါက၊ လိုက်နာရန် ယခင်ပရောဂျက်မရှိပါ၊ ထို့နောက် ပါဝါ MOSFET RDSON ကို မည်သို့ရွေးချယ်ရမည်နည်း။ ဤတွင် သင့်အား မိတ်ဆက်ပေးရန် နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်ပါသည်- ပါဝါသုံးစွဲမှု ဖြန့်ဖြူးရေးနည်းလမ်း။

ပါဝါထောက်ပံ့မှုစနစ်အား ဒီဇိုင်းဆွဲသည့်အခါ၊ သိထားသည့်အခြေအနေများမှာ- အဝင်ဗို့အားအကွာအဝေး၊ အထွက်ဗို့အား/အထွက် လက်ရှိ၊ ထိရောက်မှု၊ လည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်း၊ မောင်းနှင်ဗို့အား၊ ဟုတ်ပါတယ်၊ ဤသတ်မှတ်ချက်များနှင့် အဓိကဆက်စပ်နေသော အခြားနည်းပညာဆိုင်ရာ အညွှန်းများနှင့် ပါဝါ MOSFETs များရှိပါသည်။အဆင့်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

ainput voltage range, output voltage/output current, efficiency အရ system ၏ အမြင့်ဆုံးဆုံးရှုံးမှုကို တွက်ချက်ပါ။

ခပါဝါဆားကစ် spurious losses၊ ပါဝါမဟုတ်သော circuit အစိတ်အပိုင်းများ static losses၊ IC static losses နှင့် drivess တို့ကို အကြမ်းဖျင်းခန့်မှန်းရန်၊ empirical value သည် စုစုပေါင်းဆုံးရှုံးမှု၏ 10% မှ 15% အထိရှိသည်။

ပါဝါဆားကစ်တွင် လက်ရှိနမူနာခံနိုင်ရည်ရှိပါက၊ လက်ရှိနမူနာခံခုခံသူ၏ ပါဝါသုံးစွဲမှုကို တွက်ချက်ပါ။အထက်တွင် ဆုံးရှုံးမှု စုစုပေါင်း အနုတ်လက္ခဏာ ဆုံးရှုံးမှုဖြစ်ပြီး ကျန်အပိုင်းမှာ ပါဝါစက်၊ Transformer သို့မဟုတ် Inductor ပါဝါဆုံးရှုံးမှုဖြစ်သည်။

ကျန်ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို အချို့သောအချိုးအစားဖြင့် ပါဝါကိရိယာနှင့် ထရန်စဖော်မာ သို့မဟုတ် လျှပ်ကူးပစ္စည်းသို့ ခွဲဝေပေးမည်ဖြစ်ပြီး သင်မသိပါက အစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်အလိုက် ပျမ်းမျှဖြန့်ဖြူးမှုကို MOSFET တစ်ခုစီ၏ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကိုရရှိစေရန်။

ဂ။MOSFET ၏ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို အချို့သော အချိုးအစားတစ်ခုတွင် switching loss နှင့် conduction loss သို့ ခွဲဝေပေးပြီး မသေချာပါက switching loss နှင့် conduction loss တို့ကို အညီအမျှခွဲဝေပေးပါသည်။

ဃ။MOSFET conduction ဆုံးရှုံးမှုနှင့် RMS စီးဆင်းနေသော အမြင့်ဆုံးခွင့်ပြုထားသော conduction resistance ကိုတွက်ချက်ပါ၊ ဤခုခံမှုသည် အမြင့်ဆုံးလည်ပတ်မှုလမ်းဆုံအပူချိန် RDSON တွင် MOSFET ဖြစ်သည်။

ပါဝါ MOSFET RDSON တွင်သတ်မှတ်ထားသောစမ်းသပ်မှုအခြေအနေများနှင့်အမှတ်အသားပြုထားသောဒေတာစာရွက်တွင်ကွဲပြားခြားနားသောသတ်မှတ်ထားသောအခြေအနေများတွင်ကွဲပြားခြားနားသောတန်ဖိုးများရှိသည်၊ စစ်ဆေးမှုအပူချိန်- TJ = 25 ℃၊ RDSON သည်အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်းရှိပြီး၊ ထို့ကြောင့် MOSFET ၏အမြင့်ဆုံးလည်ပတ်မှုလမ်းဆုံအပူချိန်အရ၊ 25 ℃ အပူချိန်တွင် သက်ဆိုင်ရာ RDSON ကို ရယူရန် RDSON အပူချိန်ကိန်းဂဏန်း၊

ငRDSON မှ 25 ℃မှသင့်လျော်သောပါဝါ MOSFET အမျိုးအစားကိုရွေးချယ်ရန် MOSFET RDSON ၏အမှန်တကယ် parameters တွေကိုအရ, အဆင်းသို့မဟုတ်တက်ချုံ့။

အထက်ပါအဆင့်များအားဖြင့်၊ ပါဝါ MOSFET မော်ဒယ်နှင့် RDSON ဘောင်များ၏ ပဏာမရွေးချယ်မှု။

ဤဆောင်းပါးကို ကွန်ရက်မှ ကူးယူဖော်ပြပါသည်၊ ချိုးဖောက်မှုကို ဖျက်ရန် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ၊ ကျေးဇူးတင်ပါသည်။

Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. သည် 2010 ခုနှစ်မှ စတင်၍ အမျိုးမျိုးသော သေးငယ်သော စက်များကို ထုတ်လုပ် တင်ပို့ရောင်းချခဲ့ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကိုယ်ပိုင် ကြွယ်ဝသော အတွေ့အကြုံရှိသော R&D၊ ကောင်းမွန်စွာ လေ့ကျင့်ထားသော ထုတ်လုပ်မှုကို အသုံးပြု၍ NeoDen သည် ကမ္ဘာအနှံ့ သုံးစွဲသူများထံမှ ကြီးကျယ်သော ဂုဏ်သတင်းကို ရရှိခဲ့ပါသည်။

နိုင်ငံပေါင်း 130 ကျော်တွင် တစ်ကမ္ဘာလုံးရောက်ရှိနေသည့်အတွက်၊ NeoDen PNP စက်များ၏ ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်၊ မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည် R&D၊ ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ပုံတူပုံဖော်ခြင်းနှင့် အသေးစားမှအလတ်စားအသုတ်ထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် ပြီးပြည့်စုံစေသည်။ကျွန်ုပ်တို့သည် one stop SMT ပစ္စည်းများ၏ ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ဖြေရှင်းချက်ကို ပေးပါသည်။

Add- No.18၊ Tianzihu Avenue၊ Tianzihu Town၊ Anji County၊ Huzhou City၊ Zhejiang Province၊ China

ဖုန်း: 86-571-26266266