Power semiconductor driver circuit သည် ပေါင်းစပ်ထားသော circuit များ၏ အရေးကြီးသော အမျိုးအစားခွဲတစ်ခုဖြစ်ပြီး IGBT driver ICs များအပြင် drive level နှင့် current ကို ပေးဆောင်သည့်အပြင်၊ မကြာခဏဆိုသလို drive protection functions များနှင့်အတူ desaturation short circuit protection၊ undervoltage shutdown၊ Miller clamp၊ two-stage shutdown တို့ပါ၀င်သည် ၊ soft shutdown ၊ SRC (slew rate control) စသည်တို့သည် ထုတ်ကုန်များတွင် insulation စွမ်းဆောင်ရည် ကွဲပြားသော အဆင့်များရှိသည်။သို့သော်လည်း ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းတစ်ခုအနေဖြင့် ၎င်း၏ပက်ကေ့ချ်သည် အမြင့်ဆုံးပါဝါသုံးစွဲမှုကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည်၊ အချို့ကိစ္စများတွင် ယာဉ်မောင်း IC ၏ အထွက်လက်ရှိသည် 10A ထက် ပိုနေနိုင်သော်လည်း မြင့်မားသော လက်ရှိ IGBT module များ၏ မောင်းနှင်မှုလိုအပ်ချက်များကို မဖြည့်ဆည်းနိုင်သေးပါ၊ ဤစာတမ်းတွင် IGBT မောင်းနှင်မှုအကြောင်း ဆွေးနွေးပါမည်။ လက်ရှိနှင့် လက်ရှိချဲ့ထွင်ခြင်း။
ယာဉ်မောင်းလက်ရှိကို ဘယ်လိုချဲ့မလဲ။
drive current ကို တိုးမြှင့်ရန် လိုအပ်သောအခါ သို့မဟုတ် မြင့်မားသော current နှင့် gate capacitance ရှိသော IGBTs များကို မောင်းနှင်သည့်အခါ၊ driver IC အတွက် current ကို ချဲ့ထွင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများအသုံးပြုခြင်း။
IGBT gate driver ၏ ထုံးစံအရှိဆုံး ဒီဇိုင်းမှာ complementary emitter follower ကို အသုံးပြု၍ လက်ရှိ ချဲ့ထွင်မှုကို သိရှိရန် ဖြစ်သည်။emitter follower transistor ၏ output current ကို transistor hFE သို့မဟုတ် β ၏ DC အမြတ် နှင့် base current IB တို့က ဆုံးဖြတ်သည်၊၊ IGBT သည် IB*β ထက် ပိုကြီးသော current ကို မောင်းနှင်ရန် လိုအပ်သောအခါ၊ ထို့နောက် transistor သည် linear work area နှင့် output သို့ ဝင်ရောက်လိမ့်မည် drive current သည် မလုံလောက်ပါက၊ ထို့နောက် IGBT capacitor ၏ အားသွင်းခြင်းနှင့် အားသွင်းခြင်းအမြန်နှုန်းသည် နှေးကွေးလာပြီး IGBT ဆုံးရှုံးမှုများ တိုးလာပါမည်။
MOSFETs ကိုအသုံးပြုခြင်း။
MOSFET များကို ဒရိုင်ဘာ၏ လက်ရှိချဲ့ထွင်ရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုနိုင်ပြီး ဆားကစ်ကို ယေဘုယျအားဖြင့် PMOS + NMOS ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော်လည်း circuit တည်ဆောက်ပုံ၏ ယုတ္တိအဆင့်သည် transistor push-pull နှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သည်။အပေါ်ပြွန် PMOS ရင်းမြစ်၏ ဒီဇိုင်းသည် အပြုသဘောဆောင်သော ပါဝါထောက်ပံ့မှုသို့ ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ဂိတ်ပေါက်သည် ပေးထားသည့် ဗို့အား PMOS ၏ အရင်းအမြစ်ထက် နိမ့်နေကာ ယာဉ်မောင်း IC အထွက်သည် ယေဘုယျအားဖြင့် မြင့်မားသောအဆင့်ကို ဖွင့်ထားသောကြောင့် PMOS + NMOS ဖွဲ့စည်းပုံကို အသုံးပြုခြင်း၊ ဒီဇိုင်းတွင် အင်ဗာတာ လိုအပ်နိုင်သည်။
စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများ သို့မဟုတ် MOSFET များဖြင့်။
(1) စွမ်းဆောင်ရည် ကွာခြားချက်များမှာ များသောအားဖြင့် ပါဝါမြင့်သော application များတွင် switching frequency သည် အလွန်မြင့်မားခြင်းမရှိသောကြောင့် transistor တွင် အားသာချက်ရှိသောအခါ conduction loss သည် အဓိကဖြစ်သည်။ထိရောက်မှုအလွန်အရေးကြီးပြီး ထရန်စစ္စတာဆားကစ်များကို ရွေးချယ်နိုင်သောအခါတွင် လျှပ်စစ်ကားမော်တာဒရိုက်များကဲ့သို့သော ပါဝါသိပ်သည်းဆမြင့်မားသော ဒီဇိုင်းများစွာ၊
(2) bipolar transistor solution ၏ output တွင် VCE(sat) ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဗို့အားကျဆင်းမှု ရှိသည်)၊ drive tube VCE(sat) အတွက် လျော်ကြေးပေးရန် လိုအပ်ပြီး drive ဗို့အား 15V ရရှိရန် ပံ့ပိုးပေးသည့် ဗို့အားကို တိုးမြှင့်ရန် လိုအပ်ပြီး၊ MOSFET ဖြေရှင်းချက်၊ rail-to-rail output ကို အောင်မြင်လုနီးပါး ရရှိနိုင်သည်။
(၃) MOSFET သည် ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး VGS သည် 20V ခန့်သာရှိပြီး အပြုသဘောနှင့်အနုတ်ပါဝါထောက်ပံ့မှုများကိုအသုံးပြုသောအခါတွင် ဂရုပြုရန်လိုအပ်သည့်ပြဿနာတစ်ခုဖြစ်နိုင်သည်။
(4) MOSFET များသည် Rds(on) ၏ အနုတ်လက္ခဏာအပူချိန် ကိန်းဂဏန်းများ ရှိပြီး စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများသည် အပေါင်း အပူချိန်ဖော်ကိန်း ရှိပြီး MOSFET များသည် အပြိုင်ချိတ်ဆက်သောအခါတွင် အပူပြေးသွားသည့် ပြဿနာရှိသည်။
(5) Si/SiC MOSFET များကို မောင်းနှင်ပါက၊ စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများ၏ ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းသည် မောင်းနှင်နေသော အရာဝတ္တု MOSFETs များထက် နှေးကွေးလေ့ရှိပြီး MOSFET များကို သက်တမ်းတိုးရန်အတွက် အသုံးပြုရန် စဉ်းစားသင့်သည်။
(6) ESD သို့ input stage ၏ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် surge voltage၊ bipolar transistor PN junction သည် MOS gate oxide နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သိသာထင်ရှားသောအားသာချက်ရှိပါသည်။
Bipolar ထရန်စစ္စတာများနှင့် MOSFET လက္ခဏာများသည် တူညီခြင်းမရှိပါ၊ မည်သည့်အရာကို အသုံးပြုရမည် သို့မဟုတ် စနစ်ဒီဇိုင်းလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ သင်ကိုယ်တိုင် ဆုံးဖြတ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
NeoDen အကြောင်း အမြန်အချက်အလက်
① 2010 ခုနှစ်တွင် စတင်တည်ထောင်ခဲ့ပြီး 200+ ဝန်ထမ်းများ၊ 8000+ Sq.m.စက်ရုံ။
② NeoDen ထုတ်ကုန်များ- စမတ်စီးရီး PNP စက်၊ NeoDen K1830၊ NeoDen4၊ NeoDen3V၊ NeoDen7၊ NeoDen6၊ TM220A၊ TM240A၊ TM245P၊ reflow oven IN6၊ IN12၊ Solder paste printer FP30436၊ PM
③ ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းတွင် အောင်မြင်သော 10000+ ဖောက်သည်များ။
④ အာရှ၊ ဥရောပ၊ အမေရိက၊ Oceania နှင့် အာဖရိကတွင် ပါဝင်သော Global Agent 30+။
⑤ R&D စင်တာ- ပရော်ဖက်ရှင်နယ် R&D အင်ဂျင်နီယာ 25+ နှင့် R&D ဌာန 3 ခု။
⑥ CE ဖြင့် စာရင်းသွင်းပြီး 50+ မူပိုင်ခွင့်များ ရရှိခဲ့သည်။
⑦ အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှုနှင့် နည်းပညာပံ့ပိုးမှုအင်ဂျင်နီယာ 30+၊ အကြီးတန်းနိုင်ငံတကာရောင်းချမှု 15+၊ 8 နာရီအတွင်း အချိန်နှင့်တစ်ပြေးညီ ဖောက်သည်တုံ့ပြန်မှု၊ ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ဖြေရှင်းချက် 24 နာရီအတွင်း ပံ့ပိုးပေးသည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၁၇-၂၀၂၂